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GSSFinFETonSOI可使电池寿命翻番万芳

发布时间:2020-02-14 12:02:14 阅读: 来源:不锈钢罐厂家

GSS:FinFET-on-SOI 可使电池寿命翻番

据Gold Standard Simulations Ltd.最近进行的TCAD模拟分析显示,在SOI晶圆上制造的完全耗尽型FinFET晶体管,其漏电流将能比在块状硅上制造的FinFET减少一半到三分之一左右。

GSS CEO Asen Asenov在该公司网站上撰写了一系列采用其模拟工具分析FinFET的文章。最初是探讨英特尔的22nm块状硅工艺FinFET元件形状。该公司是采用其Garand statistical 3D TCAD模拟器来进行模拟。他的结论是,英特尔在22nm之后可能会发现必须转移到FinFET-on-SOI,而尚未引进FinFET的代工厂们,也必须更加关注SOI技术。

今年五月,GSS针对英特尔的三栅极(tri-gate)晶体管进行了模拟,指出该晶体管的截面图呈现梯形,且几乎是三角形的,而非矩形。六月份,GSS指出,矩形FinFET结构具有更优越的性能。Asenov表示,采用FinFET on SOI,将有助于生产出可预先确定和高度不可变的矩形鳍状晶体管。

Asenov在他的博客上表示,他们已经进行了一系列模拟,针对块状硅和SOI上不同栅极长度及不同宽度的FinFET进行了比较。这些FinFET大致都相容于20nm通道长度工艺节点。结论是,在驱动电流方面,FinFET-on-SOI稍微优于FinFET-on-bulk,但在漏电流方面FinFET-on-SOI表现杰出。

如图1所示,SOI FinFET的驱动电流较bulk FinFET高出5%。SOI的优势往往会随着鳍的宽度和栅极长度而减少。

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